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| 品牌普赛斯仪表 | 有效期至长期有效 | 最后更新2024-10-28 11:27 |
| 尺寸425*255*106mm | 重量5KG | 电源AC 100~240V |
| 浏览次数109 |
S型源表搭建微电子器件与材料实验
本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。
本科生微电子器件及材料实验目录
实验 ：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验实验
实验五：激光二 管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验
本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业 ，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升 ，满足日益增加的实验室测试需求
本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能
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实验名称 |
测试参数 |
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金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验 |
l 输出特性曲线 l 转移特性曲线 l 跨导gm l 击穿电压BVDS l |
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四探针法测量半导体电阻率测试实验
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l 四探针法电阻率ρ l 材料阻值R |
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MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频） |
l CV特性曲线 |
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半导体霍尔效应测试实验 |
l 霍尔电压VH l 霍尔电阻率ρ l 霍尔系数RH l 载流子浓度n l 霍尔迁移率u |
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激光二 管LD的LIV特性测试
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l LIV特性曲线 l 阈值电流Ith l 阈值电流对应电压值Vth l 拐点Kink l 线性电阻Rs |
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太阳能电池的特性表征
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l 开路电压Voc l 短路电流Isc l 功率 大值Pmax l 填充因子FF l 转换效率η l 串联电阻Rs l 旁路电阻Rsh |
本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表五表合 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足 进器件和材料测试需求
交流测试使用LCR表
探针台：4寸或6寸手动探针台
有关S型源表搭建微电子器件与材料实验的更多信息请咨询 八 四零六六三四七六
