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武汉普赛斯仪表有限公司

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S型源表搭建集成电路实验平台
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产品: 浏览次数:137S型源表搭建集成电路实验平台 
品牌: 普赛斯仪表
工作环境: 25±10℃
测试范围: 0~300V/0~1A
测试精度: 0.1%
单价: 面议
最小起订量: 1 台
供货总量: 10000 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-08-21 11:40
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详细信息

本科生集成电路实验目的

 通过实验动手操作,加深对半导体物理理论知识的理解,掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。

本科生集成电路实验目录
实验 :金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二:四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三: MOS电容的CV特性测试实验
实验四:半导体霍尔效应测试实验实验
实验五:激光二 管LD的LIV特性测试实验
实验六:太阳能电池的特性表征实验

本科生集成电路实验平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用,专业 ,方便学生动手操作
核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全,平台化设计,有专人维护支持,与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点,可逐步升 ,满足日益增加的实验室测试需求

本科生集成电路实验基本功能

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验

l 输出特性曲线

l 转移特性曲线

l 跨导gm

l 击穿电压BVDS

l 

四探针法测量半导体电阻率测试实验

 

l 四探针法电阻率ρ

l 材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验(低频 + 高频)

l CV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l 霍尔电压VH

l 霍尔电阻率ρ

l 霍尔系数RH

l 载流子浓度n

l 霍尔迁移率u

 

激光二 管LDLIV特性测试

 

l LIV特性曲线

l 阈值电流Ith

l 阈值电流对应电压值Vth

l 拐点Kink

l 线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

 

l 开路电压Voc

l 短路电流Isc

l 功率 大值Pmax

l 填充因子FF

l 转换效率η

l 串联电阻Rs

l 旁路电阻Rsh

本科生集成电路实验平台核心

测试平台的核心– 源测量单元(源表, SMU)

普赛斯国产源表四表合  四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足 进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台:4寸或6寸手动探针台

 

 

有关S型源表搭建集成电路实验平台的更多信息请咨询 八 四零六六三四七六
联系我们:

单位名称:武汉普赛斯仪表有限公司

网站:http://www.whpssins.com

单位地址:武汉市东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼

联系人:陶女士

联系电话:18140663476

          027-87993690

工作QQ:1993323884

邮箱:taof@whprecise.com

微信公众号:whpssins_com

 


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